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    双束聚焦离子束FIB

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    双束聚焦离子束FIB

    概要:
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    详情

    　　一、项目介绍：

     

    　　FIB主要通过创新的elstar电子枪与高电流UC +技术相结合，实现极高分辨率成像 最高的材料与卓越的Phoenix离子枪形成对比，即使在最具挑战性的样品上，也能实现最快，最简单，最精确的高质量样品制备和3D表征。JN江南JN江南已投入使用全国首台商业化JN江南·(中国区)体育官方网站Helios 5 UX FIB。Helios G5 UX是业界领先的第四代Helios DualBeam系列的一部分。具有以下主要特点：

     

    　　最快，最简单的HR-TEM和APT样品制备

    　　极高分辨率成像，具有最精确的对比度

    　　访问最高分辨率，多尺度和多模态地下和3D信息

    　　快速，准确，精确刻蚀和沉积复杂结构，临界尺寸小于10 nm

     

    　　二、设备技术参数

     

     

     

    1

     

               E-Beam电子束分辨率

    2kV时0.6nm

      1kV时为0.7nm

       0.5kV时1.0nm

                   加速电压350V-30keV

                         着陆电压范围20eV-30keV

                              电子束电流范围0.8Pa-100nA

                  I-Beam离子束分辨率

       30kV下4.0nm

        30kV下2.5nm

            电压500V-30KV

              束流0.1pA-65nA

     

     

     

     

    　　三、应用领域

     

    　　先进制程TEM薄片制备：对于最新制程的FinFET工艺江南电竞网页版能力、平面TEM+截面TEM江南电竞网页版能力；

    　　定点截面3D切片江南电竞网页版：JN江南级别定位江南电竞网页版能力、3维重构；

    　　集成电路（IC）线路修改：高阶制程芯片线路修改、JN江南·(中国区)体育官方网站Pad；

    　　复杂的JN江南级图形制作：离子束直接刻蚀、电子束直接沉积；

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